cmp或化學機械平坦化是一種用於半導體製造的拋光工藝。它通常用於在矽片被蝕刻並圖案化為單個晶元後對其進行拋光。cmp工藝也可用於從使用光刻法製造的物體的表面去除多餘的光致抗蝕劑。
cmp工藝可分為三個步驟：
1.拋光-將拋光墊裝到拋光機上，並將拋光墊連線到拋光機的兩側。將晶元放入支架中，然後將支架放入拋光機中。機器啟動，焊盤開始旋轉並在晶元上施加壓力。含有研磨顆粒（二氧化矽和/或氧化鋁）的拋光溶液被高速推動通過襯墊兩側的通道並到達晶元上，從晶元的前表面和後表面去除材料，直到獲得平坦表面。
2.清潔-用清潔的襯墊更換髒襯墊，並在每個襯墊兩側塗上潤滑劑時停止旋轉。
3.在這些工藝中，cmp環是至關重要的。材料質量和加工工藝決定了產品的好壞。
為什麼常用pps和peek？
拋光過程中，有兩種擋圈，一種是金屬擋圈，另一種是塑料擋圈。然而，與塑料保持環相比，金屬保持環的摩擦係數高，表面容易劃傷，因此使用壽命短。此外，金屬環還可能導致嚴重的顆粒生成，從而導致晶元質量下降。因此，越來越多的製造商已經從金屬環轉向塑料環（例如pps或peek）。通常情況下，peek大管由於易於加工而大多用於加工過程中。目前，大多數拋光漿料都是無磨料的，但在某些應用中，磨料仍然存在，並會對塑料材料造成嚴重損壞。
pps、peek是cmp擋圈最常用的材料。如果你擔心成本，那麼pps是另一種選擇。我們可以提供大的pps片來滿足不同尺寸的cmp環。它們是這類應用的理想選擇，因為材料的特性：剛度、優異的耐化學物質和溫度（最高85°c）、硬度（最高85hrc）和抗疲勞性。
pps和peek是cmp擋圈中最常用的兩種材料。兩者都具有優異的物理效能，如耐化學性、耐高溫性、低摩擦係數、高硬度和低吸水性。然而，它們在機械效能方面也有顯著差異。
這兩種材料具有一些優異的效能，使其具有吸引力：
1） 熱膨脹係數低；
2） 彈性模量較低；
3） 良好的耐化學性；
4） 優異的耐磨性；
5） 超強的剛度重量比。
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