制造7nm芯片技术兴起，英特尔通过第2种方法绕过euv光刻机。
现在的半导体生产，都是建立在光刻的基础上，光刻机是不可或缺的。
而根据光刻技术的不同，可以分为极紫外光刻、深紫外光刻、krf光刻、g线i线等等。duv也可以细分为渗透式光刻机和干式光刻，这两种方法都有各自的优缺点。
7纳米及以上的euv是7纳米及65纳米的渗透式，65至130纳米的干式光刻，130纳米至350纳米的krf,350纳米以上的g线路/i线。
但是，目前只有asml才能制造出euv光刻机，可以说是全世界高端光刻机都被asml给掐住了，在asml不**euv的情况下，世界上没有任何一家企业，可以在7nm以下的制程上取得突破。
这让其他公司无法接受，于是各大公司都在研究，新的euv光刻机。
比如佳能公司，就把赌注压在了nil上，把集成电路的电路雕刻在一个印章上，然后盖在硅片上，就成了一块芯片。
佳能公司说，在2023年之前，他们会研发出5纳米芯片，让所有人都不用euv光刻机，到了2023年，才有可能成功。
最近，很多公司都在讨论一项新的技术，英特尔公司宣布，他们已经取得了重大进展，他们成功地攻克了18nm制程，并成功地将其推向了5nm制程。
这是一项名为dsa的自动组合技术，这个概念并不新鲜，早在十年前就已经出现了。简单来说，就是将硅片上的化学物质，进行化学侵蚀，然后在芯片的操控下，制作出相应的电路。
但一开始的时候，这个工艺有很大的缺点，而且制造的图形控制能力也很差，所以很多人都忽略了，自从euv光刻出现后，所有人都用euv光刻了，很少有人会做dsa。
然而摩尔定律即将结束，光刻技术也不能满足摩尔定律，于是nil和dsa又开始流行起来，人们认为，nil和dsa可能会延长摩尔定律的寿命。
经过英特尔的研究，他们成功地制造出了一种基于dsa的euv光刻工艺，可以制造出18纳米的金属间隔，并且具有稳定的电学特性，这让所有人都开始关注dsa。
虽然从18nm升级到5nm，还有很长的一段路要走，但大部分公司都对此充满了自信，认为dsa完全可以将euv技术做的更好。
因此，在将来，euv、dsa、nil三者孰优孰劣，只能拭目以待了。
但不得不说的是，无论是数字减影（dsa)，还是nil(nil),euv(euv)，中国都比较差，大部分的技术，都被美国的asml公司垄断，而日本的nil公司则由佳能公司生产，数字减影（dsa）则由美、欧两家生产，因此中国要努力了。
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