去年10月份，美国对中国芯开出了史上最严禁令，意图锁死我们的逻辑芯片制造能力在14nm，dram制造能力在18nm，nand闪存在128层。
但后来，事情脱离了美国的掌控，长存全球首家量产了232层nand闪存，华为有了麒麟9000s……
于是一年后的今年10月份，美国针对中国芯的禁令，再次升级，这次将众多的ai芯片禁售，又拉黑了众多中国芯片企业，还将半导体设备的封锁，再一次升级。
特别是针对光刻机方面，将dco值从去年的小于1.5，调整为小于2.4。于是原来可以销售的浸润式光刻机nxt:1980di，因为dco值是1.6，现在也无法销售了。
我们知道浸润式光刻机，经过多重**之后，可以最小支持7nm芯片，美国就是担心这一点，所以干脆将浸润式光刻机全禁了。
不过，美国对三家公司例外，那就是三星、sk海力士、台积电，这三家企业建立在中国大陆的工厂，不受禁令限制，想买什么就买什么，什么高端的设备，都可以买到。
其中三星、sk海力士无限豁免，在目前规则之下，可以一直采购任何设备。而台积电暂时只有一年豁免期，即到前年10月份之前，可以随便买，明年10月份之后怎么办，暂时还不清楚，也许会继续豁免，谁知道呢。
美国为何对这三家企业豁免呢，其实很简单，那就是希望这三家企业，在中国大陆境内，充当美国的打手，打压中国芯。
三星、sk海力士在中国主要生产dram内存、nand闪存，并且产量非常大。
目前中国本土企业的dram 、nand生产受打击，高端的很难生产，产能不够，设备受限，发展也受限。而三星、sk海力士随便扩产，随便买设备，让他们快速发展，那么自然就会挤压中国本土企业的生存空间和市场，就达到了美国打压的目的。
而在芯片制造这一块的逻辑也是如此。针对浸润式光刻机都进行封锁之后，那么我们在缺少浸润式光刻机、euv光刻机的情况之下，14nm工艺可能就是一个坎了。
然后台积电可以随便扩产，随便购买设备，提高工艺，那么同样也将挤压中国本土芯片制造企业的生存空间，同样也就达到了美国的目的。
可见，要想真正突破，再也不怕美国卡脖子，最终还是要走一条独立自主的道路出来，实现供链的自主化，只要依赖国外的设备，就有可能被美国各种拿捏，你觉得呢？
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