自从华为mate 60系列手机发布以来，其所搭载的麒麟9000s芯片，就引发了外界强烈的好奇。尤其是在美国方面表态，华为在该芯片上采用了美国所不熟悉的技术后，不少人都疑惑，华为麒麟9000s芯片，到底采用了什么黑科技？以至于半导体技术最为先进的美国，都没能摸透。
于是，很多知名的科技博主以及国外技术研究机构纷纷对这款有史以来国产化程度最高的华为手机进行了拆解，在各方的研究之下，尽管尚未可知其出处，但是在芯片制程方面，最近日本团队得出了与以往不同的结论。
此前，很多拆机专家认为，麒麟9000s采用的是接近或已经达到7纳米先进制程工艺芯片，毕竟基于麒麟9000s芯片的晶体管密度，能够支持流畅的5g通讯功能，结合高通和苹果的芯片工艺，华为麒麟9000s有可能达到7纳米工艺的说法是可以信服的。然而，这次日本研究团队在对麒麟9000s芯片进行微观剖析后认为，该芯片工艺并非那么先进，而是在14纳米芯片工艺。
此消息一出，进一步引发了外界对华为芯片技术的讨论，毕竟，此前不论是高通的骁龙系列芯片还是苹果的a系列芯片，要想提高cpu运行速度，给手机带来更加流畅和复杂的运行能力，就必须在芯片集成的晶体管数量上下功夫，即进一步缩小晶体管的尺寸，增加硅片嵌入的晶体管数量。所以一直以来，不论是芯片设计还是晶圆流片，都在追求晶圆制程的迭代更新，每年台积电的尖端制程产能，都被各芯片公司抢的头破血流。
可如今，华为居然能够基于成熟芯片制程工艺，实现了芯片性能的提升，着实令人叹为观止。
日本团队曝麒麟9000s为1纳米芯片
这次日本研究团队在拆解麒麟9000s芯片后，得出了该芯片采用14纳米制程工艺的结论。据悉，日本团队透露，尽管麒麟9000s芯片本质采用的是14纳米工艺，但是由于华为方面采用了特殊的结构，提高了芯片内嵌的晶体管密度，以设计优势弥补了晶体管尺寸的不足，从而使一款14纳米芯片达到了7纳米的性能要求。
尽管这只是日本研究团队的一家之言，但是关于华为在自研的麒麟9000s芯片上所采用的制造技术，确实众说纷纭，毕竟衡量一款芯片的性能是否提升，功耗是否降低，晶体管的密度才是最重要的参照指标。而提高晶体管内嵌密度，通常有两种方法，即优化芯片内部架构与布局，以及不断提高工艺制程，缩小晶体管尺寸。最近几年，由于晶圆制造工艺的不断进步，业界对于工艺制程尤为看重，所以在麒麟9000s芯片发布之后，外界一个劲地揣测这款芯片的工艺制程。
在性能上，通过对比各款安卓手机的跑分数据，麒麟9000s芯片的多核跑分已经同3.0ghz版本的骁龙8+差距不大了，不过同芯片主频3.2ghz的骁龙8+满血版的差距更大一些，综合来看，麒麟9000s芯片的性能，基本同高通的骁龙8 gen 1持平。而骁龙8 gen 1采用了台积电4纳米制程，于是很多网友猜测，华为麒麟9000s芯片，至少是5纳米制程芯片。
但又有人说了，麒麟9000s并非由台积电流片，大概率是由国内晶圆厂商代工，而目前国内技术实力最强的中芯国际，所能提供的最高制程工艺是7纳米，而麒麟9000s又是实打实的5g芯片，所以，麒麟9000s芯片应该采用的是中芯国际的7纳米工艺。
如今，日本研究团队再次爆料，华为麒麟9000s芯片采用的是国产14纳米工艺。不得不说，这则消息给很多关心国内半导体产业的人浇了一盆冷水，毕竟很多人寄希望麒麟9000s能够叩开芯片高端制程工艺的大门，日本人的这一说法，意味着国产芯片，依然蹉跎在成熟制程领域。
不过，日本人的说法也不一定准确，说不定，也是对麒麟9000s的特意抹黑。
日方**动机值得考量
不得不说，日本人对华为麒麟9000s芯片制程的研究，所得出的结论，确实让很多关心国产半导体的人们感到了一丝不甘与懊恼。但是我们也要警惕，这可能是西方国家特意对麒麟9000s的抹黑，特意营造歪曲的**氛围来给我们的国产芯片下绊子。
说不定过不了多久，美国、日本等所谓专家就要大力吹捧4纳米，甚至1纳米芯片了，而国内所谓的“科技达人”，也都将粉墨登场，分析麒麟芯片这里或那里的不足，骁龙芯片何其先进云云。这种类似的剧本，大家是不是很熟悉？不得不说，看似有理有据的论证，说不定背后的水，深不可测。
对我们消费者而言，手机好用，性能抗打，那就足够了，谁关心手机里面的芯片用的是几纳米的工艺？比如麒麟9000s和骁龙gen 1，龙用是台积电的4纳米，麒麟9000s别说是14纳米，就算用的国产100纳米又如何？性能处于伯仲之间，制程工艺又有那么重要吗？
如果日本研究团队所言非虚，相比之下，华为麒麟芯片的设计才更令人称道，通过结构的调整与巧妙的内嵌布局，麒麟芯片能够扬长避短，规避制程工艺的不足，同样实现了高端芯片的产出，这无疑给半导体产业的发展开辟出了一条新的道路，同时，这对于国产半导体产业而言，更是一笔宝贵的财富。
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