佳能5nm NIL光刻机告诉我们，绕过EUV，或许才是出路

佳能最近推出了一款高达5nm的芯片光刻机fpa-1200nz2c，引起了广大网络用户的震惊。

佳能官方在公告中表示，这款最新一代纳米压印（nil）设备可以实现最小线宽为14nm的图案化，相当于目前最先进的5nm逻辑芯片制程。而更为令人振奋的消息是，佳能正计划改进技术，以实现2nm逻辑芯片的制造。

这一系列的动态使得佳能的光刻机成为了颠覆传统芯片制造技术路线的一匹黑马。在过去，当芯片制程升级到5nm时，必须使用euv光刻机，因为到了7nm以后，采用其他最先进的duv光刻机已经无法满足需求，只有euv光刻机可以胜任。

然而，euv光刻机目前全球只有asml能够生产，并且asml也垄断了euv核心技术的**。

这意味着，其他厂商要走euv道路非常困难，除非他们能够打破asml的垄断。

佳能的新光刻机告诉我们，绕过euv也许才是我们的出路。在此之前，已经有很多关于颠覆euv技术路线的方案出现，例如nil纳米压印方案、x射线方案、dsa方案以及ble电子束方案等，但是这些方案能否成功并没有定论，有人认为，asml在这个领域地位稳固。

不过，佳能的成功无疑对asml来说是一个非常不利的消息，毕竟euv不再是唯一的选择了。这个消息也给了我们启示，我们在接下来的光刻机技术研究中要如何选择路线。

究竟是继续坚持euv，还是转而尝试nil或其他方案？或许绕开euv才是我们的出路。值得一提的是，在nil、euv、dsa、ble等方向上，中国大陆的厂商在专利数量上并不突出。

上述的图示显示了各个技术方案的专利数量，可以看到，佳能在nil领域处于垄断地位，而asml主要集中在euv上，在nil方面也有一定的布局。而台积电、蔡司和三星则主要侧重于euv技术。

总而言之，佳能的新光刻机的推出对整个芯片制造业带来了很大的影响，不仅改变了技术路线，也给其他厂商带来了新的思考和挑战。