韩媒：中国长江存储量产232层nand 缩小与三星差距。
长江存储已成功开发。
并量产232层nand快闪记忆体。
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0**道，中国记忆体巨头长江存储据悉已成功开发并量产232层3d nand快闪记忆体，缩小了与韩企三星电子与sk海力士的差距。
根据《南华早报》27**导，半导体分析公司techinsights在25日的一份报告揭露，他们在7月悄悄推出的1tb消费级固态硬碟（ssd）致钛（zhitai）600中，发现长江存储生产的232层4层单元（qlc）3d nand记忆体。
相较之下，sk海力士的nand最高堆叠层数为238层，三星电子没有透露相关数据，但坊间据传为236层。
nand是一种即使断电，也能保存数据的记忆半导体，它需要先进的叠层技术。该叠层涉及垂直分层单元，以增加数据容量，是nand的关键竞争元素。不过techinsights对于长江存储的3d nand是否完全以中国设备或元件生产没有着墨。
在8月华为推出的mate60 pro智慧手机采用中芯国际7奈米制程处理晶片后，中国似乎克服美国实施的**制裁，并建立其自己的半导体**链。《南华早报》曾于4月报道，在美国对中国实施半导体设备与材料出口管制之际，长江存储计划利用本土设备生产先进的3d nand记忆体。
长江存储的CEO感谢华为！
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