华人在背后推动美国芯片取得突破，令任正非感到心碎。
中国的半导体产业发生了令世人瞩目的重要变化，而这种变化正是在中国人的带动下发生的。不过，这也令华为董事长任正非倍感沮丧。
在一九九九年，当时的中国科技大臣徐冠华就曾经感叹：「我国资讯工业缺少核心，缺少灵魂。」那时，中国快速发展的势头看起来并不引人注目，但是，这一决策却成为20年后中国高技术行业的“定时炸弹”。
美国在2023年对美国电子设计软件的华为进行了全方位的制裁，谷歌的全球管理系统也被中断，孟晚舟被关押在加拿大。之后，美国启动了对中国半导体行业的彻底“解绑”，利用“芯片法案”把台积电拉到美国设厂，联合荷兰和日本形成“三国联盟”，企图孤立“中国芯”，把中国的半导体从世界产业链上踢出去。
这种情况已经强迫中国开始自己开发自己的芯片，并致力于建立一个100%自主生产的半导体工业。随着“中国芯”的快速发展，中芯公司正加紧在全国范围内新建工厂，以提升其已有的芯片加工能力，力争到2023年达到70%的国产芯片，从而为中国产业的发展打下坚实的基石。
更为鼓舞人心的，则是在先进工艺技术上的突破。中国科学院公布，已成功研制出3纳米光学芯片，并将在2023年前完成我国第一条多材料、跨尺度集成的光学芯片制造工艺，并进行批量生产。另外，以哈尔滨工业大学为代表的7个军工科研院所先后公布了超高精度的高速激光干涉、能量转换等离子体等两个具有突破性的科技成果。而这样的成果，也让中国在短时间内，完成了对光刻技术的关键技术——高精密光刻机的研发，以及美国对华的封锁，都是一个笑话。
但就在这个节骨眼上，来自美国的麻省理工大学却传出了一条让人揪心的新闻。在1纳米工艺水平下，硅材料的摩尔定律已经被打破，这一理论受到了极大的重视。这主要是由于1纳米工艺中存在的隧穿效应和漏电等问题，而工艺的先进将使其**呈几何倍数增长。所以，在今后的“芯片战”中，找到一种可以取代硅的方法是至关重要的。
自然·纳米技术》杂志在今年四月二十七日刊登了一篇文章，刊登了一篇名为“原子尺度的晶片”的文章，该文章是由美国麻省理工华裔科学家朱佳迪带领的。他们利用低温度下的cvd方法，在二硫化钼基cmos晶片上制备了一层极薄的半导体层，其厚度只有0.3纳米。业内普遍看好这种方法能够取代硅晶片，其在理论上可以将其效能提高几十倍，而其体积与能耗却只有原来的1/1000乃至1/1000。
世界上最大的十家集成电路制造商，其创办人或总裁，就占了八个。而这一次，美国在半导体领域的巨大突破，也和华夏人脱不了干系。关于朱佳迪的出生地点，众说纷纭，但不管是哪一种，都引起了关于“留美人才外流”的热议。那时候的中国，由于芯片产业对员工的薪酬和发展空间的限制，造成了大量的高端人才的外流。但是现在，中国已经有了很大的力量，它正在主动地打破技术壁垒，从世界各地吸收大量的半导体专家。从2015开始，已经有3000多位集成电路专家从海外归来，帮助中国打破了对半导体的封锁。中国的半导体产业是一片光明，越来越多的留美优秀学生回国，我们一定能冲破美国的重重障碍。
中国科研人员努力推动芯片突破
导语 中国芯片技术的崛起一直以来都备受关注，国内众多科研人员在这个领域努力奋斗，为中国的芯片研发做出了巨大贡献。然而，与此同时，中国也遭到了其他国家的打压和限制。本文将介绍中国芯片技术发展的背景以及相关科研人员的故事，展示中国人在技术创新方面的决心和实力。正文 随着科技的迅猛发展，芯片作为现代社会的...
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