浸润式光刻机之父：美国封锁无用，中国大陆能造出5nm芯片。
谁都知道，就在这个月，美国又一次提高了对半导体设备的限制，禁止了所有人都感兴趣的半导体设备。
渗透式光刻机，从原理上来说，同样是193nm的光源，但是经过多次**，可以达到7nm以上。
许多人都认为，美国**华为的mate60，是对中国**的打压，让美国无法容忍，于是禁止了这种技术。
如果不能使用渗透式光刻机，那么我们的集成电路行业，将会面临什么？7nm以下的工艺，不能生产出来了吗？
最近，台积电的研发副总裁、浸入式光刻之父林本坚指出，中国在先进制程上的发展，美国是拦不住的，而中国则可以在已有的设施下，将制程提升至5纳米。
如果是别人说这话，别人或许会认为他是在说大话，但从林本坚嘴里说出来，那就不是那么回事了。
他曾经是台积电的研究副总裁，同时也是浸入式光刻技术的创始人。尼康、佳能和asml都在研究光刻机，而尼康和佳能，则是想要改良154nm的激光，但这些激光并不是那么容易制造出来的。
林本坚认为，193nm的光波，通过水的折射，可以达到134nm，而且还能避开154nm的难题。
尼康和佳能，根本不听他的话，执意要用154nm的激光来制作。那时候asml还只是个小工厂，日子不好过，为了跟林本坚拼一把，就跟台积电合作，研究出了浸入式光刻技术。
最终，渗析法获得了巨大的成功，让asml占据了绝对的优势，将佳能和尼康甩在了后面，成为了世界光刻机的霸主，最终在euv光刻机的研发上，超越了佳能和尼康。
看得出来，林本坚对光刻和芯片的研究，都很透彻，他相信，如果我们能在目前的设备上，不断的完善，将5nm制程，推向更高的水平，也不是不可以。
其实，在5nm制程的基础上，国内的光刻技术也已经取得了长足的进步，两者之间的差距并不是很大，只要往前走一步，就可以完成5nm的小目标。
美国的制裁，根本就没有任何作用，只会加速中国的产业链，让他们不再依靠外国，也不一定能将中国的市场，从他们的手中夺走。
那么我们何时才能完成5nm制程？到了那个时候，美国还能做什么？要不要开放市场，让他们降价？
浸润式光刻机之父 美国封锁无益，中国大陆能造出5nm芯片
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