1200 v分立器件提供出色的性能，有助于加速全球能源转型！
基础半导体器件领域的高产能生产专家nexperia安世今日宣布推出其首款碳化硅(sic) mosfet，并发布两款采用3引脚to-247封装的1200 v分立器件，rds(on)分别为40 mω 和80 mω。nsf040120l3a0和nsf080120l3a0是nexperia sic mosfet产品组合中首批发布的产品，随后nexperia将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同rds(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高，可满足电动汽车(ev)充电桩、不间断电源(ups)以及太阳能和储能系统(ess)逆变器等汽车和工业应用对高性能sic mosfet的需求。
nexperia高级总监兼sic产品部主管katrin feurle表示：“nexperia和三菱电机希望这两款首发产品可以激发更多的创新，推动市场涌现更多宽禁带器件**商。nexperia现可提供sic mosfet器件，这些器件的多个参数性能均超越同类产品，例如高rds(on)、良好的温度稳定性、较低的体二极管压降、严格的阈值电压规格以及极其均衡的栅极电荷比，能够安全可靠地防止寄生导通。这是我们与三菱电机承诺合作生产高质量sic mosfet的开篇之作。毫无疑问，在未来几年里，我们将共同推动sic器件性能的发展。”
三菱电机半导体与器件部功率器件业务高级总经理toru iwagami表示：“我们很高兴与nexperia携手推出这些新型sic mosfet，这也是我们合作推出的首批产品。三菱电机在sic功率半导体方面积累了丰富的专业知识，我们的器件实现了多方面特性的出色平衡。”
rds(on)会影响传导功率损耗，是sic mosfet的关键性能参数。nexperia发现这也是造成目前市场上许多sic器件的性能受限的因素，新推出的sic mosfet采用了创新型工艺技术，实现了业界领先的温度稳定性，在25℃至175℃的工作温度范围内，rds(on)的标称值仅增加38%。
nexperia sic mosfet的栅极总电荷(qg)非常低，由此可实现更低的栅极驱动损耗。此外，nexperia通过平衡栅极电荷，使qgd与qgs比率非常低，这一特性又进一步提高了器件对寄生导通的抗扰度。
除了正温度系数外，nexperia的sic mosfet的器件间阈值电压vgs(th)也超低，这使得器件并联工作时，在静态和动态条件下都能实现非常均衡的载流性能。此外，较低的体二极管正向电压(vsd)有助于提高器件稳健性和效率，同时还能放宽对异步整流和续流操作的死区时间要求。
nexperia未来还计划推出车规级mosfet。nsf040120l3a0和nsf080120l3a0现已投入大批量生产。
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