三星出丑了 3nm芯片弯道超车失败,连自己都不用

2023-10-29 18:30:14 字數 3960 閱讀 2996

在过去一年中,三星高调宣布其3nm芯片已正式进入量产阶段,并采用了新一代的gaafet(gate-all-aroundfieldeffecttransistor)晶体管技术。与此同时,台积电的3nm芯片直到去年12月才开始量产,仍采用老旧的finfet(fin-shapedfieldeffecttransistor)晶体管技术。这使得三星在技术上领先台积电半年,并且被普遍认为gaafet晶体管技术更加先进。许多人都期待着三星能够通过gaafet技术实现弯道超车,以此领先台积电并征服市场。然而,一年多的时间已过去,台积电的3nm手机芯片苹果a17pro已正式推出,并用于iphone15pro系列,尽管表现并没有令人惊艳,但至少3nm工艺已站稳脚跟,已经为台积电在第三季度贡献了6%的收入,并且未来还会不断增长。然而,三星的3nm芯片呢?尽管三星领先半年,采用更先进的gaafet技术,但目前还没有一家手机芯片厂商使用,高通最新的骁龙8gen3采用的是4nm工艺,联发科的天玑9300也采用的是4nm工艺。更令人啼笑皆非的是,连三星自己的exynos2400芯片都没有采用自家新一代的3nm工艺,而是使用了去年的4nm工艺。连自己都不用的工艺,又怎么指望别人会使用呢?三星自己都缺乏信心,又怎么能让其他厂商信心满满呢?这真是令人啼笑皆非的局面。尽管gaafet晶体管技术在不同芯片工艺下的阈值电压变化图表明,gaafet确实比finfet晶体管技术更优秀,尤其是在功耗和散热控制方面。我们都知道芯片的功耗可以分为两部分,动态功耗和静态功耗。动态功耗指的是芯片在运行时产生的功耗,而静态功耗则包括各种漏电流引起的功耗,也称为漏电功耗。静态功耗与芯片的阈值电压有密切关系,当芯片进入7nm阶段时,静态功耗已经成为占主导地位的功耗部分。而gaafet技术相比以前的finfet技术,采用的阈值电压更低,从而漏电功率也会减小,进而实现芯片功耗更好地控制,功耗降低,散热性能提升。然而,明显的是,尽管三星的gaafet技术令人叹为观止,但未能在这次的3nm芯片上实现超车,反而成为一个笑话,毕竟连自己都没有使用的工艺,又怎么能指望其他厂商会使用呢?然而,最近三星再次发出豪言壮语,称将在2023年开始量产2nm芯片,并在未来5年内超过台积电及其他行业巨头。

gaafet晶体管技术的优势与失利可谓是令人惋惜。gaafet晶体管技术的出现被认为是传统finfet技术的一次革命,它在性能和功耗方面具备诸多优点。首先,gaafet技术采用全围绕式的结构,能够更好地控制电流流动路径,提高芯片的开关速度和工作效率。其次,gaafet技术采用了更薄的绝缘层和更小的电荷束缚,大大降低了漏电功耗,提高了芯片的功耗控制和散热性能。此外,相对于finfet技术,gaafet技术可以在不同制程下实现更好的尺寸缩小和性能提升。然而,尽管gaafet技术具备如此多的优势,三星未能将其成功应用于3nm芯片,反而错失了这一次超车机会。这不禁让人思考,技术的优势并不代表一切,关键在于如何运用和实现。对于三星来说,尽管技术上领先了台积电半年,但在实际应用中却没有取得实质性的突破和成功。

三星目前面临着巨大的挑战和压力。首先是对手台积电的强大竞争力,台积电一直以来都是全球领先的芯片制造商,其占据了手机芯片市场的大部分份额。尽管三星技术上的领先,但台积电通过稳定的制程能力和高品质的产品,一直保持着与三星的竞争,并且不断收获市场份额。其次,三星自身的短板在于芯片设计,尤其是在高性能芯片领域,与高通苹果等设计能力强大的厂商相比,三星芯片设计相对较弱。此外,虽然三星已经表态要在2023年量产2nm芯片,并力图在未来5年内超越台积电及其他厂商,但我们必须承认,技术的进步离不开积累和沉淀,需要时间、金钱和实际验证。因此,三星的展望并不容乐观,仅凭口头宣言是无法打破现有格局的,必须要有切实的行动。

从目前的情况来看,三星的3nm芯片超车计划遭遇了失败,并且没有能够兑现先进技术的优势,相比之下台积电在3nm芯片上更先行一步。对于一个曾经领先全球的芯片制造巨头来说,这无疑是一次沉重的打击。然而,作为一个自**编辑,我不得不为三星当前的困境感到惋惜,同时也能感受到科技行业竞争的激烈程度和不确定性。科技发展迅猛,技术突破的速度也日益加快,曾经的领先者也未必能在每一个阶段都保持领先地位。这次的失败对于三星来说可以算是一次机会的遗憾,并且也对整个行业产生了一定的震动。

作为一个编辑,我认为我们应该客**待科技行业的发展和变化,不能盲目追求所谓的领先地位,而是应该注重长期的持续创新和产品质量的保证。无论是三星还是台积电,他们都有自己的优势和不足,我们应该从中吸取经验教训,不断完善自己的产品和技术。在这个竞争激烈的环境中,唯有不断进取和创新,才能保持竞争力,实现长期的发展。

最后,我希望三星能够从这次的失败中吸取教训,加快技术研发和产品创新的步伐,重新赢得市场的认可和竞争力。同时,也期待台积电能够继续保持技术上的领先,推动芯片制造业的发展和进步。毕竟,只有在激烈的竞争中,科技行业才能蓬勃发展,为人类的生活带来更多便捷和创新。

芯片弯道超车失利?华为 中科院陷入沉默,台积电再创历史?

集成电路芯片领域一直是西方国家的强项,而我国在这个领域的追赶一直备受困扰。然而,面对封锁的局面,我国开始探索另一条路 硅光芯片技术。华为和中科院等科技公司和科研单位也都投入了大量精力,试图通过硅光芯片实现弯道超车。然而,由于美国的打压和封锁,这些努力并没有取得重大突破。与此同时,谷歌和台积电等国际公...

芯片弯道超车失败?华为 中科院陷入沉默,台积电再创历史?

在全球芯片 链紧张的背景下,中国的半导体产业备受关注。华为作为中国芯片产业的翘楚,近期的芯片超车计划似乎陷入了沉默。与此同时,中科院作为中国的科学研究机构,在芯片领域的项目也陷入了相对的沉寂。然而,台积电作为台湾的半导体制造巨头,却再次成为了焦点。尽管如此,我们需要保持冷静,因为芯片产业的发展是一个...

芯片弯道超车出局?华为 中科院沉默,台积电将再创历史?

随着美国等西方国家在传统集成电路芯片领域的主导地位,我国想要迎头赶上变得异常困难。面对封锁的情况,我国科技企业和科研单位一直在努力寻找新的发展路径,其中一个重要的方向就是硅光芯片技术。年,华为展示了首个硅光芯片样品并申请了相关专利,但不久之后就遭到了美国的制裁,从而对硅光芯片研发产生了不利影响,至今...