中国在芯片制造领域的发展已经成为全球瞩目的焦点。然而，美国不断加强对中国芯的打压，意在限制中国在逻辑芯片、dram和nand闪存方面的制造能力。去年10月，美国首次出台了严厉的禁令，禁止中国制造14nm逻辑芯片、18nmdram和128层nand闪存。然而，美国的控制力失去了，因为全球首家量产了232层nand闪存，华为成功推出了麒麟9000s芯片。一年后的今年10月，美国再次升级了对中国芯的禁令，这次主要集中在禁售众多ai芯片以及拉黑中国芯片企业，还包括封锁半导体设备。尤其是在光刻机方面，dco值（depthofcriticaloverseas)由去年的小于1.5调整为小于2.4。例如，浸润式光刻机nxt:1980di的dco值为1.6，原本能够销售，但现在也无法销售了。浸润式光刻机是经过多次**后，能够支持最小7nm芯片制造的设备，美国之所以全面禁止浸润式光刻机的使用，正是因为害怕中国在芯片制造上取得突破。然而，美国对三星sk海力士和台积电三家公司做了例外处理，这三家企业在中国大陆建立的工厂不受禁令限制，可以自由购买高端设备。其中，三星和sk海力士可以无限期获得豁免，而台积电暂时只有一年的豁免期限，即到2023年10月之前。此后的去向尚不确定，可能会继续获得豁免，也可能会被限制。那么，美国为什么对这三家企业豁免呢？原因很简单，他们希望这三家企业充当美国在中国大陆境内的打手，共同打压中国芯。三星和sk海力士在中国主要生产dram内存和nand闪存，并且产能非常高。目前中国本土企业的dram和nand生产受到了冲击，高端芯片的生产困难重重，产能和设备受限，发展也受到了限制。而三星和sk海力士可以自由扩产，随意购买设备，加快发展，自然会挤压中国本土企业的市场份额，达到美国打压中国芯的目的。同样的情况也适用于芯片制造领域。由于美国封锁了浸润式光刻机和euv光刻机的使用，中国在没有这些设备的情况下，14nm工艺可能成为一道难以逾越的坎。与此同时，台积电可以无限制扩产，自由购买设备，提高工艺水平，同样也会挤压中国本土芯片制造企业的生存空间，达到美国的目的。
为了突破美国的束缚，摆脱美国的制约，中国必须走一条独立自主的道路，实现芯片**链的自主化。依赖国外的设备将使中国在芯片领域受到各种限制和掌控，从而让美国牵制中国的发展。要实现自主化，中国必须加大自主研发和创新的力度，培养自己的芯片设计和制造能力。同时，加强国内企业之间的合作，建立起完整的**链生态系统，从芯片设计、制造到封测等环节，形成自给自足的能力。此外，还需要加大对人才的培养和引进，建立更加完善的科研机构和创新平台，吸引顶尖的人才和团队加入到芯片领域的研发中。此外，**也应该加大对芯片产业的支持力度，在资金、政策和市场等方面给予更多的扶持和保护。只有通过这些努力，中国才能够真正实现芯片自主化，不再受制于人。
当前，中国芯片产业正面临着前所未有的挑战和压力，但同时也蕴藏着巨大的机遇和发展空间。我们要清醒认识到，在现有国际格局下，特别是美国的制约下，要想突破卡脖子的困局，摆脱对中国的打压，我们必须坚持自主创新和自我发展。通过加强研发力量、促进产业协同、培养人才和政策支持的综合手段，不断提升中国芯片产业的核心竞争力和抗风险能力。同时，我们也要从历史经验中吸取教训，不再依赖国外设备和技术，形成自己的核心技术和产业链，建立起完整的芯片生态系统。只有这样，我们才能真正实现在芯片领域的自主发展，为中国经济的持续发展和***做出更大的贡献。
美国给三星 SK海力士 台积电开“后门”，意在打压中国芯
去年月份，美国对中国芯开出了史上最严禁令，意图锁死我们的逻辑芯片制造能力在nm，dram制造能力在nm，nand闪存在层。但后来，事情脱离了美国的掌控，长存全球首家量产了层nand闪存，华为有了麒麟s 于是一年后的今年月份，美国针对中国芯的禁令，再次升级，这次将众多的ai芯片禁售，又拉黑了众多中国芯...
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美国给三星 SK海力士 台积电开“小门”，意在打压中国芯
去年月，美国针对中国芯实施了史上最严格的禁令，限制中国在nm逻辑芯片制造能力 nmdram制造能力和层nand闪存制造能力方面的发展。然而，由于事态发展脱离了美国的掌控，全球首家量产了层nand闪存的企业应运而生，华为也推出了麒麟s芯片。于是，在一年后的今年月份，美国对中国芯的禁令再次升级，加入了禁...