光刻机是半导体制造过程中不可或缺的设备之一，其技术水平直接影响到芯片制造的精度和良品率。而在光刻机领域，high-na浸没式光刻机是未来发展的趋势。那么，如果开建的话，heps（high-na extreme ultr**iolet lithography）有多少技术与光刻厂是通用的呢？
首先，我们需要了解heps技术的特点。heps采用高数值孔径（na）的浸没式光刻技术，可以显著提高芯片制程的精度和良品率。然而，heps技术并不是完全颠覆性的，它仍然有很多与现有光刻技术相似的地方。
在光刻机的基本结构方面，heps与传统的arf浸没式光刻机很相似。它们都由光源、光学系统、工作台和控制系统等组成。其中，光学系统是光刻机的核心部分，包括物镜、反射镜和分束器等组件。在heps中，物镜的na值更高，可以达到0.95左右，使得芯片制程更加精确。
除了基本结构之外，heps在**原理方面也与arf浸没式光刻机类似。它们都是采用紫外线作为光源，通过将掩膜版上的图案投影到硅片上，实现芯片的制造。因此，在**原理方面，heps与arf浸没式光刻机具有很高的通用性。
在光刻机的工作流程方面，heps与arf浸没式光刻机也有很多相似之处。首先，它们都需要将硅片放置在工作台上，并通过控制系统来控制**的位置和时间。其次，它们都需要对掩膜版进行校准和修正，以确保投影的图案与掩膜版上的图案一致。因此，在光刻机的工作流程方面，heps与arf浸没式光刻机也具有很高的通用性。
综上所述，如果开建的话，heps有很多技术与光刻厂是通用的。这包括光刻机的基本结构、**原理和工作流程等方面。当然，heps技术也有其独特之处，如高数值孔径的物镜和新型的光源等。但是，这些独特的技术并不会完全颠覆现有的光刻技术，而是对其进行改进和优化。因此，在过渡到heps技术时，光刻厂可以通过对现有设备进行升级和改造来适应新的技术需求。
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