（1）项目基本情况
本项目以晶合集成已拥有的110nm制程节点领域的微控制器技术和研发经验为基础，进一步开发55纳米及40纳米微控制器技术，开发元件包含：可供微控制器使用的低功耗核心低压元件（1.1v），以及核心组件硅智材-多次性可编程（mtp）及嵌入式非挥发性记忆体（eflash）等，并在平台上导入多种嵌入式非挥发性记忆体ip，包含多次性可编程技术，嵌入式电可擦除只读存储器技术和嵌入式闪存技术。
平台开发完成后，预计项目完成后，公司将可以提供性能、功耗、耐久性、资料保存性能等指标良好的中高端微控制器芯片。
上述研发项目完成后，公司将具备生产微控制器芯片的技术能力，终端应用包括车用电子、智能家居等。
（2）项目投资概算
本项目将组建约100人的研发团队，总投资为3.53亿元，主要包括主机台设备投资、测试软硬件费用和人力费用。
（3）项目周期和时间进度
本项目预计于2023年第三季度开始实施，具体时间节点如下：
2023年第三季度：微控制器芯片工艺平台项目启动。
2023年第二季度：完成 40纳米微控制器工艺平台开发。
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