（1）项目基本情况
目前晶合集成正进行55nm技术平台开发。未来，公司将以此技术为基础，进行40纳米逻辑芯片工艺平台开发，重点开发方向为40nm标准逻辑制程的低漏电（ll）器件平台，其核心组件电压为1.1v，涵盖三种不同阈值电压，以及2.5v的输入/输出组件电压（超载3.3v，低载1.8v），并导入生产效率更高的多晶硅栅氮氧化硅绝缘层栅极（poly/sion）工艺技术，开发超浅结退火以及应力技术，大幅度降低晶格缺陷，提高生产良率以及运作效率，以满足不同客户的设计要求。
上述研发项目完成后，公司将具备生产40纳米逻辑芯片的技术能力，终端应用包括物联网、无线逻辑传输等。
（2）项目投资概算
本项目将组建约150人的研发团队，总投资为15.0亿元，主要包括主机台设备投资、测试软硬件费用和人力费用。
（3）项目周期和时间进度
本项目预计于2023年第一季度开始实施，具体时间节点如下：
2023年第一季度：40 纳米逻辑芯片工艺平台项目启动。
2023年中：完成 40纳米逻辑芯片工艺平台开发。
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