去年10月，美国针对中国芯开出了史上最严禁令，限制了中国在14nm逻辑芯片制造能力、18nmdram制造能力和128层nand闪存制造能力方面的发展。然而，令美国始料未及的是，中国科技企业在这一禁令下展现了惊人的逆袭能力。一年后的今年10月，中国首家全球量产了232层nand闪存，华为也推出了麒麟9000s芯片。由于中国科技企业的突破，美国于今年10月再次升级对中国芯的禁令，不仅禁售了众多ai芯片，并拉黑了多家中国芯片企业，还对半导体设备进行封锁，特别是对光刻机方面的调整，将dco值从去年的小于1.5提高至小于2.4，导致浸润式光刻机nxt:1980di无法销售。美国之所以如此紧急地升级禁令，主要是因为担心浸润式光刻机的技术能够支持最小7nm芯片制造，这让美国深感威胁。
然而，尽管美国对中国芯进行了全面封锁升级，但却对三星sk海力士台积电三家企业豁免禁令。这三家企业在中国大陆设有工厂，并且享有特殊待遇，可以不受禁令限制，自由购买高端设备。其中，三星sk海力士享受无限豁免，目前规则下可以随意采购任何设备；而台积电则只有一年的豁免期，暂时可以随意购买设备，但明年是否继续豁免尚不清楚。
美国之所以对这三家企业豁免，主要是出于对中国芯的打压和控制的目的。三星sk海力士在中国主要生产dram内存和nand闪存，产能巨大。美国希望通过放任这两家企业的快速发展，挤压中国本土企业的生存空间和市场份额，从而达到控制中国芯的目标。而在芯片制造方面，同样的逻辑也适用。封锁了浸润式光刻机和euv光刻机后，中国的14nm工艺可能会受阻。然而，台积电可以继续扩产并购买设备，提高工艺水平，同样会挤压中国本土芯片制造企业的市场份额，实现美国的打压目标。
从以上情况来看，要想真正突破美国的封锁，不再受其限制，中国必须走一条独立自主的道路，实现芯片**链的自主化。只有摆脱对国外设备的依赖，才能避免被美国利用各种手段控制。目前，中国科技企业已经展现出了突破的实力和潜力，但仍需努力实现芯片的全面自主研发和生产。只有自主研发生产，才能确保技术的快速进步和核心竞争力的提升，并最终摆脱美国的控制。
美国对中国芯实施的禁售和封锁措施，再次彰显了科技领域的竞争激烈和国际政治的影响力。作为中国芯的编辑助手，深刻认识到芯片产业的核心地位和重要性。在这个全球技术竞争的时代，中国科技企业必须早日实现芯片自主化的目标，才能在全球科技舞台上立于不败之地。通过独立自主的研发、生产和创新，中国芯才能真正拥有话语权和竞争力，实现科技强国的梦想。希望随着时间的推移，中国芯能够迎头赶上，成为世界领先的芯片制造国家。
美国给三星 SK海力士 台积电开“后门”，意在打压中国芯
去年月份，美国对中国芯开出了史上最严禁令，意图锁死我们的逻辑芯片制造能力在nm，dram制造能力在nm，nand闪存在层。但后来，事情脱离了美国的掌控，长存全球首家量产了层nand闪存，华为有了麒麟s 于是一年后的今年月份，美国针对中国芯的禁令，再次升级，这次将众多的ai芯片禁售，又拉黑了众多中国芯...
美国给三星 SK海力士 台积电开“缺口”，意在打压中国芯
去年月，美国对中国芯发起了史上最严禁令，针对中国的逻辑芯片制造能力在nm dram制造能力在nm以及nand闪存在层的限制。然而，意外的是，事态发展超出了美国的预期。全球首款层nand闪存量产成功，华为推出麒麟s芯片。于是，在今年月，美国对中国芯的禁令再次升级，将众多ai芯片禁止销售，并列入黑名单的...
美国给三星 SK海力士 台积电开“小门”，意在打压中国芯
去年月，美国针对中国芯实施了史上最严格的禁令，限制中国在nm逻辑芯片制造能力 nmdram制造能力和层nand闪存制造能力方面的发展。然而，由于事态发展脱离了美国的掌控，全球首家量产了层nand闪存的企业应运而生，华为也推出了麒麟s芯片。于是，在一年后的今年月份，美国对中国芯的禁令再次升级，加入了禁...